据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
关键字：
三星电子 VCT DRAM
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
关键字：
Sandisk 3D-NAND
高性能人工智能（AI）数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年，AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错，“吸金”，各种资金正从各种投资计划中向数据中心涌入。显然，我们正处在一个人工智能资本支出空前高涨的时代——尽管DeepSeek等新入局者的潜在影响尚难以被准确估量。但不可否认的是，就在英伟达（Nvidia）、AMD等公司的高性能计算（HPC）处理器成为行业焦点的同时，用于存储训练和推理模型的高带宽内存同样迎来了属于
关键字：
数据中心 DRAM
4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
关键字：
SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
关键字：
内存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional
DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季因应国际形势变化，各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水
关键字：
TrendForce 集邦咨询 DRAM
美光经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略促成了这一优化的 1γ节点的诞生。
关键字：
美光1γ DRAM
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
关键字：
3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
关键字：
美光 1γ DRAM DRAM
2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
关键字：
三星 芯片 1b DRAM 样品 英伟达
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
关键字：
紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
关键字：
3D NAND 深孔蚀刻
据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。据了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功实现1c纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。SK海力士曾表示，1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进的DRAM主力产品群，进一步巩固其在内存市场的领先地位。
关键字：
SK海力士 1c纳米 DRAM
三星Galaxy S25系列可能会选择美光作为第一内存供应商，而非自家的产品。这一决定标志着三星在旗舰智能手机中首次没有优先使用自家的内存解决方案，这也让外界对三星内存技术的竞争力产生了质疑。美光此前多年一直是三星旗舰Galaxy智能手机中的第二内存供应商，这次却打败三星成为了第一供应商，似乎折射出内部部门竞争的微妙行情。2024年9月就有报道指出因良率问题，三星DS（设备解决方案）部门未能按时足量向三星MX（移动体验）部门交付Galaxy S25系列手机开发所需的LPDDR5X内存样品，导致MX部门的手
关键字：
三星 Galaxy S25 内存 美光 DRAM LPDDR5X
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季进入淡季循环，DRAM市场因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，进而造成DRAM均价下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅预估将扩大至8%至13%，若计入HBM产品，价格预计下跌0%至5%。PC DRAM价格估跌幅为8-13%，Server DRAM则跌5-10%TrendForce集邦咨询表示，2024年第四季PC OEM在终端销售疲弱，DRAM价格反
关键字：
DRAM TrendForce 集邦咨询
3d x-dram介绍
您好，目前还没有人创建词条3d x-dram!
欢迎您创建该词条，阐述对3d x-dram的理解，并与今后在此搜索3d x-dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473